在半導(dǎo)體市場(chǎng)需求旺盛的引領(lǐng)下,去年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)高速增長(zhǎng)。根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì),2021年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售達(dá)到5559億美元,同比增長(zhǎng)26.2%。中國(guó)仍然是最大的半導(dǎo)體市場(chǎng),2021年的銷(xiāo)售額總額為1925億美元,同比增長(zhǎng)27.1%。其中,邏輯IC、模擬IC、傳感器及存儲(chǔ)IC市占及需求穩(wěn)健提升。所以,中國(guó)存儲(chǔ)IC市場(chǎng)未來(lái)可期。

但是,有市場(chǎng)僅是前提,緊隨其后的是芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。從產(chǎn)能角度而言,根據(jù)IC Insights今年5月公布的數(shù)據(jù)顯示,去年國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)量只占其銷(xiāo)售總額的不到20%。在去年國(guó)內(nèi)制造的312億美元IC中,半導(dǎo)體企業(yè)總部位于中國(guó)的僅占123億美元(39.4%)。臺(tái)積電、SK海力士、三星、英特爾、聯(lián)華電子等其他在中國(guó)擁有的晶圓廠生產(chǎn)了其余的芯片。因此,中國(guó)存儲(chǔ)IC必須克服設(shè)計(jì)和制造工藝上的不足才能夠獲取有力市場(chǎng)份額。

以DRAM為例。據(jù)訊博自動(dòng)化了解,國(guó)外三大存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商美光、SK海力士和三星就憑借先進(jìn)的制造設(shè)備和設(shè)計(jì)工藝去年貢獻(xiàn)了全球DRAM市場(chǎng)94%的市場(chǎng)份額,其中僅韓國(guó)SK海力士和三星就完全碾壓其他對(duì)手占據(jù)全球DRAM銷(xiāo)售額的71.3%。

國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)“芯片”兩大陣營(yíng):DRAM和NAND Flash

圖1:三星、美光、SK海力士、南亞、力積電和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等市場(chǎng)企業(yè)的DRAM路線圖。圖片來(lái)源/TechInsights

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)IC原廠如何趕上?從2020年上半年開(kāi)始,存儲(chǔ)大廠的博弈繼續(xù)加劇。三星于該年10月率先使用極紫外光刻機(jī)(EUV)技術(shù)生產(chǎn)14nm DRAM。SK海力士緊隨其后,在2021年通過(guò)EUV生產(chǎn)10nm DDR5 DRAM。美光預(yù)計(jì)2024年采用EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM。反之,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、南亞科技、華邦電子的生產(chǎn)工藝可能介于20nm及以上。與前者相比,后者尚處于“追趕期”。

另外,值得一提的是,國(guó)內(nèi)DRAM制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)利用新技術(shù)工藝推出的DRAM產(chǎn)品已經(jīng)與國(guó)際主流產(chǎn)品接軌并參與競(jìng)爭(zhēng)。

目前,從“芯片”陣營(yíng)上劃分,國(guó)外DRAM原廠主要以韓國(guó)三星和SK海力士、美國(guó)的美光為主;中國(guó)本土存儲(chǔ)芯片原廠DRAM主要是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、南亞科技、力積電、華邦電子,而福建晉華DRAM芯片尚未取得進(jìn)展。

接下來(lái)是NAND Flash主題。從目前來(lái)看,國(guó)外NAND Flash主要廠商主要是:韓國(guó)三星和SK海力士;美國(guó)的美光、西部數(shù)據(jù)、英特爾;及日本的鎧俠;中國(guó)本土則是長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯、臺(tái)灣旺宏電子為主。

圖2:三星、鎧俠/WD、SK海力士、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和旺宏電子等市場(chǎng)企業(yè)的3D NAND路線圖。圖片來(lái)源/TechInsights

這些主要的NAND芯片制造商正在為生產(chǎn)大容量存儲(chǔ)芯片而競(jìng)相角逐3D NAND。如三星推出的176層、鎧俠/西部數(shù)據(jù)162層、美光176層、SK海力士176層的3D NAND。

面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)白熱化的3D NAND,國(guó)產(chǎn)NAND企業(yè)也是不甘示弱!在去年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層X(jué)tacking TLC和QLC產(chǎn)品已經(jīng)上市。旺宏電子(MXIC)還宣布了他們的第一個(gè)48層3D NAND原型,將于2022年底或2023年初量產(chǎn)。

總體而言,一方面對(duì)手利用快速技術(shù)迭代搶食存儲(chǔ)市場(chǎng)的步伐一直不停歇,一方面本土國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商面臨從制造設(shè)備、工藝設(shè)計(jì)等多重阻力,欲趕超對(duì)手尚需時(shí)間和技術(shù)創(chuàng)新。

針對(duì)如此,在中國(guó)仍是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)中,中國(guó)本土存儲(chǔ)芯片廠商如何逆勢(shì)突圍?如何依靠國(guó)產(chǎn)替代優(yōu)勢(shì)搶占份額,又有何利用NAND等主流芯片進(jìn)行市場(chǎng)布局?這應(yīng)是當(dāng)下國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)供應(yīng)鏈企業(yè)重點(diǎn)思考的問(wèn)題。

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